S4800冷场发射扫描电子显微镜

广泛地应用于各种金属材料和非金属材料的检验和研究。在材料科学研究、金属材料、化学材料、半导体材料、陶瓷材料等多个领域可以进行材料的微观形貌、组织、成分分析，材料断口分析和失效分析；各种材料的形貌组织观察；材料实时微区成分分析；快速的多元素面扫描和线扫描分布测量；晶粒尺寸、形状分析，晶体、晶粒取向测量；元素定量、定性成分分析；晶体、晶粒的相鉴定。

技术参数：
二次电子分辨率: 1.4nm (1 kV，减速模式) 1.0nm (15kV)
电子光学：
电子枪: 冷场发射电子源
加速电压: 0.5～30kV(0.1KV/步，可变)
放大倍率: x 20～ x 800,000
物镜光阑: 4孔，真空外选择和调校(内置加热器)
检测器: 二次电子检测器 (高位/低位) 透射电子检测器法拉第杯阴极荧光检测器
样品台: l型:
X: 0～50mm Y: 0～50mm Z:1.5～30mm T: -5～+70°R:360°
驱动:手动(可选3轴驱动)
扫描模式: 标准，Split/dual mag./line scan, position set, spot, AAF, SAA, oblique
画面储存: 640 x 480, 1,280 x 960, 2,560 x 1,920,5,120 x 3,840
扫描速度: TV, 慢速 (0.5 ～ 40 s/帧) 用于观察慢速 (40 ～ 320 s/帧) 用于记录
成像过程: 自动调节亮度和对比度
光栅旋转，自动聚焦，自动像散校正，
平均，帧积分，伪彩色显示
自动数据记录: 胶卷号，加速电压，微米标尺，放大倍率，日期，时间，工作距离
电子图像移动: ±12u( W.D. = 8 mm)

主要特点：
1. 新型物镜采用专利的ExB设计。使用单检测器和超级ExB可以分别收集和分离单纯二次电子、混合二次电子及背散射电子的信号。
2. 1KV低加速电压,不使用减速功能,可保证有2.0nm的分辨率。
3. 两种样品台可选：I型50mm x 50mm标准样品台或Ⅱ型110mm x 110mm大样品台。